На странице:
100
25
50
75
100
По умолчанию
Наименование (А -> Я)
Наименование (Я -> А)
Цена (по возрастанию)
Цена (по убыванию)
Рейтинг (по убыванию)
Рейтинг (по возрастанию)
Модель (А -> Я)
Модель (Я -> А)
В наличии: 1 шт.
ГТ328
Характеристики транзистора ГТ328Б
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напря..
В наличии: 40 шт.
ГТ329
Основные технические параметры ГТ329Б:
ГТ329Б
Транзисторы ГТ329Б германиевые планарные структуры n-..
В наличии: 9 шт.
ГТ341
1Т341А
Транзисторы 1Т341А германиевые планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффиц..
В наличии: 38 шт.
ГТ403
ГТ403Б
Транзисторы ГТ403Б германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для приме..
В наличии: 3 шт.
ГТ703
Основные технические параметры ГТ703Б:
ГТ703Б
Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p усил..
В наличии: 9 шт.
ГТ905 А
Основные технические параметры ГТ905А:
ГТ905А
Транзисторы ГТ905А германиевые диффузионно-сплавные с..
В наличии: 13 шт.
ГТ906 А
Основные технические параметры ГТ906А:
ГТ906А
Транзисторы ГТ906А германиевые диффузионно-сплавные с..
В наличии: 44 шт.
КП103
Полевой транзистор КП103..
В наличии: 50 шт.
КП303Е
Описание
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при..
В наличии: 9 шт.
КП305
Описание
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 15
Максимальный ток сток-исток при..
В наличии: 9 шт.
КП306А
КП306А
Транзисторы КП306А кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изолированными затворами,..
В наличии: 8 шт.
КП313Б
КП313Б
Транзисторы КП313Б кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и канало..
В наличии: 2 шт.
КП809 А
Основные технические параметры КП809А-2:
КП809А-2
Транзисторы КП809А-2 кремниевые полевые эпитаксиа..
В наличии: 5 шт.
КП902, 903
Основные технические параметры КП902А:
КП902А
Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолирован..
В наличии: 15 шт.
КТ104
Условные обозначения электрических параметров биполярного транзистора КТ104А
Обозначение: Параметр
..
В наличии: 462 шт.
КТ203
Описание
Структура PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс)..
В наличии: 81 шт.
КТ209
Транзистор КТ209 - усилительный, эпитаксиально-планарный, кремниевый, структуры p-n-p. Нормируется п..
В наличии: 24 шт.
КТ301
Основные технические параметры КТ301Е:
КТ301Е
Транзисторы КТ301Е кремниевые планарные структуры n-p..
В наличии: 44 шт.
КТ306
Основные технические параметры КТ306А:
КТ306А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структ..
В наличии: 4 шт.
КТ3102 (2N3904)
Описание
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс..
В наличии: 30 шт.
КТ3107
КТ3107 — тип кремниевого биполярного транзистора, p-n-p проводимости, усилительный высокочастотный м..
В наличии: 21 шт.
КТ3109
Основные технические параметры КТ3109А:
КТ3109А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные стру..
В наличии: 11 шт.
КТ3117
Транзистор: кт3117а(1) кт3117б
Структура n-p-n n-p-n
Pк max 0,3 0,3 Вт
Uкб..
В наличии: 42 шт.
КТ3126
Основные технические параметры КТ3126А:
КТ3126А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные стру..
В наличии: 60 шт.
КТ3127
Характеристики транзистора КТ3127А
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напр..
В наличии: 20 шт.
КТ313
Описание
Структура PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс)..
В наличии: 7 шт.
КТ315Г
Технические параметры
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи ..
В наличии: 2 шт.
КТ3157 (BF423)
КТ3157А (2SA1320) (2SA821), Транзистор P-N-P 250В 0.03А 0.2Вт 60Мгц TO92 (КТ-26)
Описание
Структура..
В наличии: 18 шт.
КТ316
Характеристики транзистора КТ316А
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напря..
В наличии: 19 шт.
КТ337
Технические параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи ..
В наличии: 7 шт.
КТ343
КТ343 (кремниевый транзистор, p-n-p)..
В наличии: 80 шт.
КТ345
КТ345Б Транзисторы высокочастотные, кремниевые, маломощные, структуры p-n-p универсальные,
Использу..
В наличии: 5 шт.
КТ347
Основные технические параметры КТ347А:
КТ347А
Транзисторы КТ347А кремниевые эпитаксиально-планарные..
В наличии: 28 шт.
КТ349
Основные технические параметры КТ349Б:
КТ349Б
Транзисторы КТ349Б кремниевые эпитаксиально-планарные..
В наличии: 34 шт.
КТ350
Основные технические параметры КТ350А:
КТ350А
Транзистор КТ350А кремниевый эпитаксиально-планарный ..
В наличии: 64 шт.
КТ358
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний
Структура пол..
В наличии: 507 шт.
КТ361
Технические параметры
Структура PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи ..
В наличии: 91 шт.
КТ372
Основные технические параметры КТ372А:
КТ372А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структ..
В наличии: 14 шт.
КТ501
Характеристики транзистора КТ501К
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напря..
В наличии: 88 шт.
КТ502Е
Технические параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи..
В наличии: 3 шт.
КТ503Е
Характеристики транзистора КТ503Г:
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение к..
В наличии: 6 шт.
КТ601 мет.
КТ601А
Транзисторы КТ601А кремниевые диффузионные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для пр..
В наличии: 1 шт.
КТ604 АМ
Основные технические параметры КТ604АМ:
КТ604АМ
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-..
В наличии: 7 шт.
КТ605 АМ
Основные технические параметры КТ605АМ:
КТ605АМ
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-..
В наличии: 34 шт.
КТ606 А
Основные технические параметры КТ606А:
КТ606А
Транзисторы КТ606А кремниевые эпитаксиально-планарные..
В наличии: 22 шт.
КТ611
Основные технические параметры КТ611БМ:
КТ611БМ
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-..
В наличии: 5 шт.
КТ626
Основные технические параметры КТ626А:
КТ626А
Транзисторы КТ626А кремниевые эпитаксиально-планарные..
В наличии: 4 шт.
КТ629А-2
Технические параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи ..
В наличии: 4 шт.
КТ639А
Технические параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой це..
В наличии: 20 шт.
КТ801А
КТ801А
Транзисторы КТ801А кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные.
Предназн..
В наличии: 11 шт.
КТ805 АМ
КТ805АМ,БМ,ИМ Транзистор NPN, среднечастотный, большой мощности, TO-220 (КТ-28)
Описание
Структура ..
В наличии: 158 шт.
КТ807
Характеристики транзистора КТ807Б
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напря..
В наличии: 1 шт.
КТ8136А
Характеристики транзистора КТ8136А
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напр..
В наличии: 3 шт.
КТ816Г
КТ816Г (BD238), Транзистор PNP, низкочастотный, большой мощности, TO-126 (КТ-27)
Описание
Структура..
В наличии: 57 шт.
КТ817
КТ817Г (BD237), Транзистор N-P-N 100В 3А 25Вт 3Мгц TO126
Описание
Структура NPN
Макс. напр. к-э при..
В наличии: 3 шт.
КТ825Г
Структура PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60
Мак..
В наличии: 18 шт.
КТ826 А
Технические параметры
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи ..
В наличии: 1 шт.
КТ827 А
Основные технические параметры КТ827А:
КТ827А
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные мезапланарные с..
В наличии: 54 шт.
КТ835
Характеристики транзистора КТ835А
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напря..
В наличии: 108 шт.
КТ837
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 45 В
Макси..
В наличии: 1 шт.
КТ844 А
Основные технические параметры КТ844А:
КТ844А
Транзисторы КТ844А кремниевые эпитаксиально-планарные..
В наличии: 5 шт.
КТ848 А (КТ 897А)
Основные технические параметры КТ848А:
КТ848А
Транзисторы КТ848А кремниевые мезапланарные структуры..
В наличии: 5 шт.
КТ852
Характеристики транзистора КТ852Б
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напря..
В наличии: 3 шт.
КТ855
Характеристики транзистора КТ855А
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напря..
В наличии: 7 шт.
КТ857
Характеристики транзистора КТ857А
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напря..
В наличии: 9 шт.
КТ858 (2SC2335 мет)
Основные технические параметры КТ858А:
КТ858А
Транзистор КТ858А кремниевый эпитаксиально-планарный ..
В наличии: 4 шт.
КТ859
Описание
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс)..
В наличии: 8 шт.
КТ903 А
Основные технические параметры КТ903Б:
КТ903Б
Транзисторы КТ903Б кремниевые мезапланарные структуры..
В наличии: 3 шт.
КТ9115
Основные технические параметры КТ9115А:
КТ9115А
Транзисторы КТ9115А кремниевые эпитаксиально-планар..
В наличии: 2 шт.
КТ933А
КТ933А
Транзисторы КТ933А, КТ933Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
П..
В наличии: 1 шт.
КТ935А
Транзисторы КТ935А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназн..
В наличии: 6 шт.
КТ940 (BF459)
Основные технические параметры КТ940А:
КТ940А
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n ..
В наличии: 1 шт.
КТ943Г
Транзисторы КТ943 - кремниевые, мощные, высокочастотные усилительные, структуры - n-p-n.
Корпус плас..
В наличии: 2 шт.
КТ969
КТ969А, Транзистор NPN 250В 0.1А 6Вт [TO126]
Технические параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б пр..
В наличии: 8 шт.
КТ973
Основные технические параметры КТ973А:
КТ973А
Транзисторы КТ973А кремниевые эпитаксиально-планарные..
В наличии: 3 шт.
МП25,37-42
МП21Е
Транзисторы МП21Е германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные.
Предн..
В наличии: 11 шт.
П214А
П214А
Транзисторы П214А германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для примен..
В наличии: 32 шт.
П214В
П214В
Транзисторы П214В германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для примен..
В наличии: 4 шт.
П214Г
П214Г
Транзисторы П214Г германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для примен..
В наличии: 7 шт.
П215
П215
Транзисторы П215 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применен..
В наличии: 8 шт.
П216
П216
Транзисторы П216 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применен..
В наличии: 5 шт.
П217Г
П217Г
Транзисторы П217Г германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для примен..
В наличии: 4 шт.
П605
П605
Транзисторы П605 германиевые структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усил..
В наличии: 2 шт.
П607
П607
Транзисторы П607 германиевые структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усил..
В наличии: 6 шт.
П608
П608
Транзисторы П608 германиевые структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усил..
В наличии: 3 шт.
П701
П701
Транзисторы П701 кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные.
П..
Транзисторами называют устройства, имитирующие основное свойство транзистора – изменять сигнал между двумя различными состояниями в тот момент, когда изменяется сигнал на управляющем электроде. Транзисторы нашли широкое применение, сегодня они применяются в усилительных схемах, электронных ключах, генераторах сигналов, а также в качестве активных элементов в переключательных и усилительных каскадах. Приобрести отечественные транзисторы сегодня можно у нас. Доступные цены и высокое качество – вот что в первую очередь характеризует радиоэлементы, представленные в нашем магазине.